Новинки

Математический анализ

А. Л. Белопольский, А. С. Бондарев, М. Л. Доценко, Е. В. Фролова, А. П. Щеглова

Математический анализ (функции одной вещественной переменной): Учеб. пособие. СПб.: изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 104 с.

Является основой курса дисциплины «Математический анализ» технических университетов, в нем излагается теория дифференциального и интегрального исчисления для функций одной вещественной переменной.

Предназначено для студентов технических факультетов, обучающихся по всем направлениям и специальностям. Издание позволяет студентам самостоятельно и более углубленно изучать разделы курса, кратко изложенные на лекциях.

Моделирование процессов в вакууме и плазме

Барченко В. Т., Лисенков А. А., Павленко Т. С.

Моделирование процессов в вакууме и плазме: учеб. пособие по дисциплине «Моделирование процессов в вакууме и плазме». СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 32 с.

Рассматриваются подходы к моделированию приборов и устройств вакуумной и плазменной электроники, основные принципы математического моделирования процессов в вакууме и плазме, математическое моделирование полевых задач и аналитические методы их решения, математическое моделирование процессов при движении заряженных частиц в электрических и магнитных полях в вакууме и плазме.

Предназначено для студентов дневной формы обучения по направлению подготовки магистров 210100.68 «Электроника и наноэлектроника», профиль 210153.68 «Вакуумные и плазменные приборы и устройства».

Оптика и атомная физика

Вяткин В. М., Комашня А. В., Комашня В. Л., Малышев М. Н., Шейнман И. Л.

Оптика и атомная физика: лабораторный практикум. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 96 с.

Содержит описание теории и методики экспериментального исследования корпускулярно-волновой природы электромагнитного излучения, квантовой природы магнитных свойств атома и ядра атома. В описания работ включены задание на подготовку и перечень контрольных вопросов.

Предназначено для студентов 2-го курса всех факультетов СПбГЭТУ.

Основы социологии

И. Н. Барыгин, В. С. Бушуев, В. А. Глухих, П. П. Дерюгин, М. П. Замотин, Н. В. Казаринова, А. Ю. Колянов, В. П. Милецкий, В. А. Павлов, Е. А. Пашковский, А. М. Пивоваров, Е. В. Строгецкая, А. В. Щербина

Основы социологии: Учеб. пособие / Под ред. А. В. Щербины. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 72 с.

Содержит краткое изложение основных тем курса «Социология», а также вопросы для проверки и задания для самостоятельной работы.

Предназначено для студентов всех направлений и специальностей СПбГЭТУ, изучающих социологию.

Программируемые компоненты устройств и систем на кристалле

Угрюмов Е. П.

Программируемые компоненты устройств и систем на кристалле: Учеб. пособие. СПБ.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 120 с.

Содержит сведения о цифрах и аналоговых программируемых микросхемах, являющихся важной составляющей современной компонентной базы построения устройств и систем обработки информации.

Предназначено для подготовки магистров техники и технологии по программе «Микросистемные компьютерные технологии: системы на кристалле». Может быть использовано и для подготовки специалистов и бакалавров техники и технологии по профилю «Вычислительные машины, комплексы, системы и сети», а также специалистами, работающими в области разработки электронной аппаратуры.

Квантовая механика и статистическая физика

С. А. Антоненко, К. Б. Варнашев, С. М. Дунаевский, Д. А. Лисаченко, Н. В. Мухин, А. И. Соколов

Квантовая механика и статистическая физика: учеб. пособие / под ред. А. И. Соколова, С. М. Дунаевского. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 76 с.

Содержит основные теоретические положения изучаемого курса, методику и примеры решения задач, а также задачи для самостоятельного решения по квантовой механике и статистической физике.

Предназначено студентам бакалавриата направления 210100.62 «Электроника и наноэлектроника» и 222900.62 «Нанотехнологии и микросистемная техника».

Физические основы ионной имплантации

Вольпяс В. А., Комлев А. Е.

Физические основы ионной имплантации: текст лекций. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 48 с.

Изложен материал первой части лекционного курса «Физико-химические основы технологии изделий электроники и наноэлектроники».

Рассматриваются физические процессы взаимодействия ускоренных ионов с веществом. Для описания процесса ионной имплантации приводится ряд приближенных аналитических методов расчета, позволяющих оценить глубину проникновения и распределение имплантированных ионов в мишени.

Предназначено для бакалавров факультета электроники, обучающихся по направлению «Микроэлектроника и наноэлектроника». Рассчитано также на студентов старших курсов физико-технических факультетов, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области физики взаимодействия атомных частиц с атомами газа, плазмы и твердого тела.

Адаптивные измерительные системы

Авдеев Б. Я.

Адаптивные измерительные системы: Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 52 с.

Содержит классификацию дискретного представления сигналов в адаптивных измерительных системах, вопросы формирования и анализа адаптивной дискретизации и адаптивной коммутации сигналов.

Предназначено для подготовки магистров по направлению 200100.68 «Приборостроение», магистерским программам 200146.68 «Локальные измерительно-вычислительные системы» и 200147.68 «Адаптивные измерительные системы».

Распределенные базы данных

Богданов А. В., Станкова Е. Н., Тхурейн Киав Лин

Распределенные базы данных: Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 48 с.

Содержит основные сведения о современных распределенных системах, предназначенных для хранения и анализа информации. Излагаются принципы распределенной обработки данных, цели и правила разработки распределенных систем.

Предназначено для магистров, обучающихся по программе «Распределенные интеллектуальные системы и технологии».

Физика конденсированного состояния

Виолина Г. Н., Глинский Г. Ф., Зубков В. И.

Физика конденсированного состояния: Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. 80 с.

Посвящено дисциплинам «Физика конденсированного состояния», «Физика твердого тела», «Физика полупроводников». Рассматриваются структура кристаллов, энергетический спектр электронов, зонная структура реальных полупроводников. Рассчитываются примесные и экситонные состояния в полупроводниках. Рассмотрены задачи по расчету равновесных носителей заряда и их подвижностей в различных полупроводниках.

Предназначено для бакалавров по направлениям 210100 «Электроника и наноэлектроника» и 222900 «Нанотехнология и микросистемная техника». Может быть полезно для широкого круга специалистов в области физики твердого тела.