Радиационные процессы в микроэлектронике

Александров О. В.

Рассмотрено влияние радиационных процессов на элементную базу микроэлектроники (МОП) и биполярные ИМС. Приведён анализ физических процессов при ионизирующем облучении МОП-структур Si-SiO2. Изучаются модели накопления объёмного заряда и поверхностных состояний во время и после ионизирующего облучения. Рассмотрено влияние технологических факторов на радиационную стойкость МОП и биполярных ИМС.

Предназначено для студентов специальности 200300 «Электронные приборы и устройства» и магистрантов направления 550700 «Электроника и микроэлектроника» по дисциплине «Радиационные процессы в микроэлек-тронике».