Технология материалов микроэлектроники: эпитаксиальный рост

Д. Д. Авров, О. А. Александрова, А. О. Лебедев, Е. В. Мараева

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста.

Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Рассмотрены основные элементарные стадии процесса эпитаксиального роста, включая массоперенос (в конденсированных фазах, газовой среде и в вакууме), адсорбцию-десорбцию и химические превращения. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симетрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.

Предназначено для бакалавров, обучающихся по направлению 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» и 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» по дисциплинам «Технология материалов и эпитаксиальных структур». Может быть полезно для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике эпитаксиальных технологий.