Конструктивно-технологические особенности элементной базы наноэлектроники

Трушлякова В. В., Усикова М. А.

Рассмотрены основные направления модификации и совершенствования конструкций кремниевых транзисторов, используемых в наноэлектронике. Приведены ключевые особенности технологических процессов и решений, используемых в области производства элементной базы наноэлектроники. Проанализированы пути совершенствования транзисторных структур.

Предназначено для студентов направлений подготовки 11.03.04 и 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», а также может быть полезно инженерно-техническим работникам этой области знаний.

Подготовлено с участием обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Информационная безопасность».